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采用 PECVD技术制备的 a－ SiOx:H (0<x< 2) 薄膜 ,经高温退火形成纳米硅晶粒埋入 a－ <P> SiOx:H基质的量子点复合膜（ nc－ Si/a－ SiOx:H）。利用 TEM技术， Raman散射谱和光吸收谱等 , 较系统地研究了该复合膜的膜结构和光吸收特性。实验结果表明：纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构， 颗粒大小随退火温度升高而增大。复合膜光吸收边随纳米硅颗粒尺寸的减小发生了蓝移，表现出 明显的量子限域效应。