氮化Si基ZnO／Ga2O3制备GaN薄膜

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：maoht1980

【摘要】

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利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜.XRD测量结果表明,利用该方法制备的

【作者】

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高海永庄惠照薛成山王书运董志华李忠

【机构】

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山东师范大学物理与电子科学学院

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

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GAN薄膜射频磁控溅射 ZnO缓冲层 Ga2O3薄膜氮化 Ga2O3 thin films ZnO buffer layers nitridation RF

【基金项目】

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国家自然科学基金

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利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜.XRD测量结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用SEM观测了其表面形貌,PL测量结果发现了位于351 nm处的室温光致发光峰.

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