【摘 要】
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以Ti/Si/C,Ti/SiC/C和Ti/Si/TiC粉为原料体系,采用真空热压烧结制备纯样Ti3SiC2,通过XRD和SEM研究了不同原料体系和烧结温度对试样相组成、致密度及显微结构的影响。研究表明
【机 构】
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西安思源学院; 西安建筑科技大学;
【基金项目】
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陕西教育厅专项科研基金(18JK1101)
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以Ti/Si/C,Ti/SiC/C和Ti/Si/TiC粉为原料体系,采用真空热压烧结制备纯样Ti3SiC2,通过XRD和SEM研究了不同原料体系和烧结温度对试样相组成、致密度及显微结构的影响。研究表明:烧结温度为1550℃时,Ti/Si/TiC体系制备的纯样Ti3SiC2主晶相为Ti3SiC2,第二相为TiC,Ti3SiC2相含量为94%,为各试样中最高,Ti3SiC2材料较其他试样致密且Ti3SiC2晶粒发育成均匀良好的板状晶粒,粒径约为20μm;制备纯度较高的Ti3SiC2材料需要提高Ti/Si/C,Ti/SiC/C原料体系的烧结温度。
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