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采用射频磁控溅射在石英衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜,利用蚀刻技术制备了MSM结构的光导型紫外探测器.在3 V偏压下,器件的暗电流小于250 nA,光响应峰值在370 nm,响应度是0.34 A/W.其紫外(360 nm)与可见光(420 nm)的抑制比为4个数量级.器件的光响应时间上沿仅为20 ns.