硅表面有机单分子膜的新表征方法—界面微分电容测量法

来源 :高等学校化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pizaiyang

【摘要】

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提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法.通过对新制备的H-Si(111)表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面/电解液界面的微分电容的研究,建立了硅表面有机膜结

【作者】

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孙乔玉 Catherine Henry de Villene

【机构】

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兰州大学化学化工学院,LaboratoiredePhysiquedesLiquidesetElectrochimie,兰州大学化学化工学院

【出处】

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高等学校化学学报

【发表日期】

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2003年1期

【关键词】

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硅表面有机单分子膜界面微分电容测量法表征方法膜结构 Monolayers on silicon surfaces Differential capaci

【基金项目】

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兰州大学校科研和教改项目

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提出一种表征硅表面有机单分子膜的新方法界面微分电容测量法.通过对新制备的H-Si(111)表面和一系列烯烃分子修饰的硅表面/电解液界面的微分电容的研究,建立了硅表面有机膜结构和性质与界面电容之间的联系.实践证明这是一个简便、快速和有效的实验技术,为硅表面化学修饰与功能化研究提供了一个非常有力的工具.

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