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通过对失效霍尔器件的分析,揭示了芯片金属电极脱边形成位移金属丝的工艺缺陷,导致桥接相邻内电极引起漏电或短路的失效机理.
工艺缺陷引起霍尔器件功能失效
【摘 要】
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通过对失效霍尔器件的分析,揭示了芯片金属电极脱边形成位移金属丝的工艺缺陷,导致桥接相邻内电极引起漏电或短路的失效机理.
【机 构】
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信息产业部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2005年4期
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