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研究了调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中与二维电子气 (2DEG) 有关的光致发光,发现温度40 K时Al0.22Ga0.78N/GaN 异质结中2DEG 与光激发空穴复合形成的发光峰位于3.448 eV, 低于GaN 自由激子峰45 meV.由于AlxGa1-xN/GaN 界面极强的压电极化场的影响,光激发空穴很快扩散进GaN 平带区,导致2DEG 与光激发空穴复合几率很低.在GaN 中接近Al0.22Ga0.78N/GaN 界面处插入Al0.12Ga0.88N 限制层用于抑制光激发空穴的扩散,从而大大增强了2DEG发光峰的强度.还研究了2DEG发光峰随温度和光激发强度的变化.