Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a372092

【摘要】

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讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(2

【作者】

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徐传明许小亮谢家纯徐军杨晓杰冯叶黄文浩刘洪图

【机构】

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中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系,中国科学技术大学物理系

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

Cu(In Ga)3Se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲

【基金项目】

：

安徽省自然科学基金(No.0046506)

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讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.

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