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在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型，该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响．模拟结果和测量数据的比较表明该模型在10^16～10^20cm。的电子浓度、30～800K的温度和0～0．9的杂质补偿率范围内具有较好的一致性．该电子迁移率解析模型对于GaN器件的数值模拟和器件仿真设计具有很强的实用意义．