低损耗z型铁氧体的研究

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  摘 要: 采用固相反应法制备(Ba3-xBixCo2Fe24-xCuxO41)铁氧体材料。研究铋、铜联合取代Z型六角铁氧体中钡、铁离子对材料性能的影响,结果表明,少量的取代量不会影响z相形成。取代量较少时(0.1≤x≤0.2),磁导率增大,有较高的品质因素Q,材料的介电常数和介电损耗都较小,小于800MHz材料的介电损耗tan<0.02。
  关键词: 固相反应;磁导率;介电损耗
  中图分类号:TM277 文献标识码:A 文章编号:1671-7597(2011)1020085-02
  
  0 引言
  随着无线电、微波、PC技术人们迫切需要能应用于甚高频带。并具有低损耗的软磁铁氧体材料。目前常用的软磁铁氧体主要为尖晶石体系的Mn-Zn。Ni-Zn系铁氧体,但是由于它们在甚高频带应用时会产生严重的趋肤效应和祸流损耗,以致无法应用口。Shock等人的研究发现,平面六角晶系的z型软磁铁氧体的自然共振频率要比尖晶石铁氧体高一个数量级,而且综合磁性能比较优良,因此是一种比较理想的,能够满足甚高频段应用要求的材料[1-6]。
  本实验采用固相反应法制备z型六角铁氧体材料,系统的研究了铋、铜联合取代对材料的显微结构,电磁性能的影响。
  1 实验
  采用分析纯的Fe2O3、BaCO3、Co3O4、CuO和Bi203等,按组成Ba3-xBixCo2Fe24-xCuxO41(0  用x射线衍射(xRD)、JSM.6490LV扫描电镜(SEM)分析烧结体的物相构成和断面显微形貌,利用HP4291B射频材料/阻抗分析仪测试样品在1MHz~1.8GHz频段内的磁谱曲线和介电谱线曲线。
  2 实验结果与讨论
  图1是铋、铜取代量分别为0.1,0.15,0.3,0.5时的X射线衍射图谱,测试的材料为预烧后研磨的粉料。从图中可看出,当取代量较少时(x≤0.3)对衍射峰几乎没有影响,而在x=0.5时,有一个明显的非Z相峰存在,见图中箭头所指。
  图2是铋、铜取代量分别为0.1,0.15,0.2,0.5,烧结温度Ts=900℃三种样品的微观结构形貌图。从图中可以看出,随着铋、铜取代量的增加,晶粒尺寸增大,在x=0.2时,晶粒大,气孔较少;继续增加至x=0.5时,晶粒形状不规则,且出现过烧的现象,图中显示有大晶粒合并小晶粒的的趋势,存在二次生长的情况。
  图3显示的是铋、铜取代对材料磁性能的影响。(a)、(b)图为取代量x从0.1变化到0.5时,材料磁导率的实部与虚部随频率的变化曲线,从图中可以看出,材料磁导率变化规律随是取代量的增加先增大而后减小的。影响多晶铁氧体材料磁导率的因素有多种,如烧结密度、晶粒尺寸以及饱和磁化强度。从样品烧结密度以及后面材料饱和磁化强度变化规律可知,密度和饱和磁化强度不是引起磁导率这种转变的因素,因为二者都是随取代量增加而上升的。故磁导率的这种转变需要从晶粒尺寸方面加以解释,由前面样品的微观形貌可知,取代量在一定范围内增加时,晶粒尺寸增大,此时材料磁导率上升,最大值为4.51(400MHz,x=0.2);继续增大x值,将出现晶粒的二次生长,导致磁导率下降。图(c)是材料的磁品质因数变化,该材料磁品质因数的变化规律是随取量增多先下降而后上升。根据 为常数的关系,可知磁导率下降时,材料的磁品质因数会成相反的变化趋势,另外当取代量过多时,Cu2+可能富集在晶粒边界形成高阻成[91],减小了高频涡流损耗,因此Q值会上升,但磁导率也会下降,这与实验结果相符。
  图4为不同Bi3+、Cu2+取代量对材料介电性能的影响。从(a)图中可以看出,材料的介电常数随取代量的增加而增大,直至x=0.2;当进一步增大取代量时,材料的介电常数变化不是很明显,维持在16左右。首先取代量较少时(0.1≤x≤0.2),铁氧体的密度随x的增大而增加,由公式:
   ( ,Vf、Vm分别代表铁氧体与空气的体积比)可知,材料的介电常数值会增大;另一方面,Cu2+取代Fe3+进入到晶格内部,当x较大时,取代会明显地破坏晶格及晶体场产生较强内应力,此应力限制了Fe3+在A、B位之间的运动及电子跃迁,对应着介电的减小[92]。综合这两种效果,尽管较高取代量铁氧体的密度会增大,但它的介电常数值会维持基体不变。(b)图可以看出,由于Bi3+、Cu2+取代后,材料在较低的温度制备,Fe2+含量降低[70],因此,介电常数及介电损耗值都较小,图中显示,<800MHz材料的介电损耗tan <0.02。
  图1 不同铋、铜取代量对物相的影响
  图2 不同铋、铜取代量对材料微观结构的影响
  图3 铋、铜取代量对材料磁性能的影响
  图4 铋、铜取代量对材料介电性能的影响
  3 结论
  采用不同的铋、铜取代量对z型六角铁氧体材料进行了分析和研究。结果表明,z型六角铁氧体(Ba3-xBixCo2Fe24-xCuxO41)在取代量x≤0.2时,不会影响z相的形成,且材料晶粒尺寸增大,气孔减少,材料磁导率增大,x=0.2时达到最大值4.51。进一步增加取代量时,材料有其他杂相生成,伴随晶粒形状不规则,可能出现第二次生长情况,磁导率开始较小,介电常数维持在16左右不变。频率小于800MHZ时,材料的介电损耗tan<0.02,适合应用于天线,可以增加天线的带宽以及天线的小型化。
  
  参考文献:
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  [2]Buell K,Mosallaei H,and Sarabandi K(2006),A substrate for small patch antennas providing tunable miniaturization factors,IEEE Trans.Microw.Theory Tech.,vol.54, no. 1:135-146.
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  作者简介:
  徐磊,湖北省天门市人,硕士生,研究方向:微波材料与器件。
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