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不同AlGaN层厚度的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lelouchX

【摘 要】

：

利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外廷生长及器件制作，重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性．实验发现具有较薄AlG

【作 者】

：

吴桐 郝智彪 唐广 郭文平 胡卉 孙长征 罗毅 

【机 构】

：

清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年11期

【关键词】

：

高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件 HEMTGaNpower devices 

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号 :60 2 44 0 0 1),,清华大学基础研究基金(批准号:JZ2 0 0 2 0 0 5 )资助项目~~

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利用金属有机化合物气相外延技术研究了AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外廷生长及器件制作，重点比较了具有不同AlGaN层厚度的HEMT器件的静态特性．实验发现具有较薄AlGaN隔离层的结构表现出较好的器件特性。栅长为1μm的器件获得了650mA／mm的最大饱和电流密度和100mS／mm的最大跨导。

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