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从中子和γ射线引起半导体器件退化的基本效应出发,分别分析了抗中子和γ射线辐射的加固措施,还给出了初步试验结果以及尚存在的困难和可能采取的措施。
双极模拟IC抗辐射加固措施探讨
【摘 要】
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从中子和γ射线引起半导体器件退化的基本效应出发,分别分析了抗中子和γ射线辐射的加固措施,还给出了初步试验结果以及尚存在的困难和可能采取的措施。
【机 构】
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四川固体电路研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1988年06期
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