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<正> 一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管发光效率的初步研究结果。 GaAs1-xPx发光二极管主要是在结区产生电致发光。因此要提高发光效率就必须研究
氮和锌离子注入GaAs1-xPx（x≈0.39）提高发光效率的研究
【摘 要】
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<正> 一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介绍在GaAs1-xPx材料中注入Zn+和N+提高二极管
【机 构】
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北京师大低能所,中国科学院半导体所,北京市有色所
【出 处】
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北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1980年1期
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