等电子陷阱相关论文
在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力......
综述了国内外半导体发光二级管在近３０年来的研制、发展和应用．在红色、黄色和绿色超高亮度的半导体发光二级管相继问世并相继推向市场......
近年来发现,在磷化镓透明衬底上气相外延生长掺氮磷砷化镓时,由于等电子陷阱杂质氮这一发光中心的引进,使高x值的GaAs_(1-x)P_x(x......
引言磷化镓是目前主要采用的绿色发光材料。国外对于汽相外延制取此材料作了不少努力,但目前效率最高的材料是由液相外延形成p-n......
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样......
一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一......
本文对N、Zn离子注入GaAs_(1-x)Px材料之后,用连续CO_2激光束进行退火作了研究.晶格恢复、注入杂质的激活率和光致发光的实验测量......
在液氮温度下,利用本实验得到的关系式[N]cm~(-3)=1.05×10~(15)α_A_0·Γ,可较简便地估算氮液度。观察到LEC衬底在外延掺杂过程......
本文用集团模型EHT方法计算GaAs_(1-x)Px中的N-等电子陷阱能级.计算表明,必须计入原子的激发态轨道才能使结果得到较为实质的改善.......
磷化镓绿色发光二极管是近代新型的半导体发光显示器件。器件发光效率与掺入等电子陷阱氮的浓度息息相关。本文应用热力学理论算出......
本文主要研究了锌、氮离子注入 GaAs1-xPx提高发光效率的机理.从锌在GaAs1-xPx中的剖面看出,在p-n结附近锌的浓度比较低,结果降低......
鉴于氮在磷砷化镓中能形成等电子陷阱,人们曾希望向砷化镓掺氮并研究其有关特性,但均未获成功。主要困难是,即使用离子注入技术向......
本文介绍了GaP的发光性能及作为LED材料的应用前景。评述了GaP单晶制备的工艺研究、等径控制技术,商品生产的发展和现状以及今后发......
本文采用Ga/As.P/HCl/H_2系统进行GaAs_(1-x)P_x外延生长。在反应管的尾端,增加一个强制冷却装置,迫使反应副产物完全沉积在内套管......
本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双......
一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束......
该论文主要进行的研究内容以及目前取得的主要研究结果有以下方面:□ZnSTe合金;研究了四块ZnS:Te薄膜样品(Te组分从0.005到0.031)......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴......
通过GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的低温光致发光(PL)谱,探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分(x=0.05%～0.......
<正> 一、前言离子注入的优点是众所周知的,在化合物半导体方面可以用它来提高发光效率,制作良好的发光材料和半导体器件。本文介......
测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚......
本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象......
通过GaP1—xNx(x＝0.05％-3．1％)混晶的低温光致发光(PL)谱，探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用．在低组分(x＝0．05％-0.81％)下，G......
通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0．12％时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合．直接计算了NN3束缚激子的LO，TO和TA声子伴线的......
