【摘 要】
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采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响.结果表明:a-Si:
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采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响.结果表明:a-Si:H薄膜的沉降速率随着基片温度的升高而增大;薄膜的电阻率随着基片温度的增加而迅速下降,并在250℃达到最低值;a-Si:H薄膜的折射率随着基片温度的增加而增大,但光学带隙随着基片温度的增加而减小.
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