【摘 要】
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在四次光刻工艺中,半光刻制程中光刻胶膜残量的控制,对于TFT沟道形貌以及电学特性至关重要。因此,本文研究了在氧化物TFT-LCD四次光刻工艺中,影响半光刻制程中光刻胶剩余量的
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在四次光刻工艺中,半光刻制程中光刻胶膜残量的控制,对于TFT沟道形貌以及电学特性至关重要。因此,本文研究了在氧化物TFT-LCD四次光刻工艺中,影响半光刻制程中光刻胶剩余量的关键因子,通过全因子实验设计,得到了预烘温度、减压干燥的快抽时间和显影时间的最优组合,再通过单因子实验优化出最优曝光量。结果表明,该实验设计可有效优化半光刻后光刻胶的剩余量及均一性,并获得理想的实验条件组合。当预烘温度、减压干燥快抽时间、显影时间以及曝光量分别为115℃、10 s、52 s和67 mJ/cm2时,光刻胶剩余量可以控制在
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