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测量薄膜CdSe电极在脉冲光下的瞬态光电流行为,将实验数据与描述半导体-溶液界面动力学模型进行计算机拟合,求出界面异相电荷转移、表面电荷复合及光腐蚀反应速度常数K_F、K_R及K_c。对薄膜CdSe电极在多硫及铁氰溶液中、不同电极电位下和光刻蚀前后的界面动力学行为进行了分析。
薄膜CdSe瞬态光电流行为的研究
【摘 要】
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测量薄膜CdSe电极在脉冲光下的瞬态光电流行为,将实验数据与描述半导体-溶液界面动力学模型进行计算机拟合,求出界面异相电荷转移、表面电荷复合及光腐蚀反应速度常数K_F、K_
【机 构】
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中国科学院感光化学研究所,中国科学院感光化学研究所
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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1990年3期
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