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采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法制备铁电Bi4Ti3O12（BIT）薄膜，研究退火温度对其微观特性的影响，以掌握制备工艺中最佳退火温度。研究表明，随着退火温度的增加，BIT薄膜的C轴取向生长更明显，晶粒尺寸增加，同时表面粗糙度增加；从退火750℃开始，晶粒开始呈棒状生长；当温度高于850℃时，薄膜的C轴生长取向增长趋势不再明显。退火时间对薄膜的相结构和生长取向没有明显影响。