SiNx薄膜的性质及其在开管扩Zn中的应用

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wumou

【摘要】

：

采用PECVD方法制备了SiNx薄膜，用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质。测试结果表明，SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大，当SiH4／NH3为38／8时，沉积SiNx

【作者】

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谢生陈松岩陈朝毛陆虹

【机构】

：

天津大学电子信息工程学院,厦门大学物理系

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2008年9期

【关键词】

：

氮化硅等离子增强化学汽相沉积钝化磷化铟开管Zn扩散 SiNx PECVD passivation InP open-tube Zn diffusion

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采用PECVD方法制备了SiNx薄膜，用椭偏测厚仪、红外光谱仪和俄歇能谱仪研究了SiNx薄膜的性质。测试结果表明，SiNx薄膜的折射率随SiH4流量增加不断增大，当SiH4／NH3为38／8时，沉积SiNx薄膜的折射率为1．93，对应的Si／N比约为0．75。FTIR测试结果表明，随着SiH4／NH3流量的增加，N-H含量降低，Si-H含量升高，当SiH4／NH3为38／8时，SiNx薄膜的H含量最少。通过优化沉积条件和层厚度，将SiNx薄膜应用于InP材料的开管扩Zn中，并成功制备了平面结构的InP／I

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