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对多晶硅双栅全耗尽SOICMOS工艺进行了研究，开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SOICMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。NMOS和PMOS的阈值电压绝对值比较接近，且关态漏电流很小，NMOS和PMOS的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm，NMOS和PMOS的峰值跨导分别为136．85mS／mm和81．7mS／mm。在工作电压为3V时，1．2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66ps。