掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究

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【摘要】

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用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现:Y2O3掺杂量增加,

【作者】

：

籍远明

【机构】

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中国矿业大学北京校区

【出处】

：

稀土

【发表日期】

：

2003年3期

【关键词】

：

导电陶瓷正电子湮没缺陷 conductive ceramicspositron annihilation defect

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现:Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度升高,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷;烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加.同时对正电子湮没机制与ZnO陶瓷导电特性的关联进行了研究.

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