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采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器.对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度,器件谐振接收波长可在大范围调变.
谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究
【摘 要】
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采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060 nm及1310 nm波段的谐振腔增强型光电探测器.对谐振腔增强型光电探测器的空间角
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2003年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)
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