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As掺杂HgCdTe薄膜材料在研制高工作温度(HOT)红外探测器方面有着特殊的用途, 能够有效抑制高温下产生的复合电流。富Te液相外延中As的分凝系数非常低, 故掺杂原子数分数也很低, 约为1015 cm-3。虽然, 富Te液相外延下生长的As无法占据Te位成为AsTe受主, 但是, 通过富Hg高温热处理, 这些As原子能够激活成为AsTe受主。通过富Te液相外延(LPE)技术, 制备了As掺杂HgCdTe薄膜材料, 通过后期富Hg高温热退火(400 ℃), 成功获得低掺杂原子数分数P型As掺杂HgCdTe薄膜材料。通过二次离子质谱(SIMS)确定掺杂原子数分数。利用变温霍尔测试(10～300 K)测量了材料的霍尔效应及相应电阻率, 获得了As掺杂HgCdTe薄膜材料的基本电学性质。