【摘 要】
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在O2/Ar混合气氛中,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2O5薄膜.对所沉积的薄膜进行450 ℃退火.利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性
【机 构】
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兰州大学物理科学技术学院,兰州物理研究所,兰州大学物理科学技术学院
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在O2/Ar混合气氛中,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2O5薄膜.对所沉积的薄膜进行450 ℃退火.利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性能进行了分析,从200 nm～2500 nm光谱的透射和反射测量结果,计算出薄膜的吸收系数.结果表明,V2O5薄膜纯度高,结晶好,高低温电阻变化2个量级.光学能隙为2.46 eV.
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