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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。
Si／Si1—xGexHEMT结构设计的研究
【摘 要】
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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对 Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计 理
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2001年2期
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