溅射功率和气氛对Sialon薄膜,介电性能的影响

来源 :现代显示 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shgrx
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射法分别在Ar/N2和Ar/O3气氛中制备了厚度为80-300nm的Sialon薄膜,研究了沉积功率对Sialon薄膜的介电性能的影响。发现在Ar/N2气氛中沉积的Sialon薄膜具有较高的介电常数,漏电流密度和介电损耗也稍大。在Ar/N2气氛下沉积的SiMon薄膜的介电常数在4.8~8.5之间,反映介电损耗的参数△Vy在0.010-0.045V之间,在50Mv/m直流电场下的正、反向漏电流密度在10^-10-10^-8数量级,击穿场强在201-476MV/m;在Ar/O2气氛下沉积的Sia
其他文献
急性肺损伤具有肺泡塌陷、肺顺应性下降、肺内分流增加和低氧血症的病理特点,而高原地区海拔高、气压低、空气稀薄,使肺动脉高压及缺氧进一步加重。因此,高原地区发生急性肺
目的了解我院儿科住院患者抗菌药物使用情况,评价其使用合理性。方法随机抽取我院2009年1月至2010年6月儿科出院病历180份,对抗菌药物使用情况进行统计分析。结果 180份病历
阐述了我国水泥标准制定修订的主要内容,ISO强度与GB强度的关系以及新标准对我国水泥产品质量和生产工艺(包括强化烧成、掺加混合材、粉磨工艺等)的影响.
注意缺陷多动障碍(ADHD)是一种好发于学龄儿童的行为障碍综合征,严重影响到患儿的学习、生活,受到家长和社会的广泛重视。目前对该病的诊断多采用量表和问卷,缺乏客观性。从ADH