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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通过沉积参数的优化，使微晶硅薄膜沉积速率达到了3A／s左右。
射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜
【摘 要】
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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积微晶硅薄膜。系统研究了射频功率、气体总流量、沉积气压、硅烷浓度等沉积参数对薄膜沉积速率和晶化率的影响。通
【机 构】
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郑州大学物理工程学院
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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2007年3期
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