【摘 要】
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为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴张应变与最优掺杂密度的关系,分析了不同双轴
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院,英属哥伦比亚大学材料工程系
【基金项目】
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广东省重大科技专项（20158090912002,20148090912001）,广州市“菁英计划”留学项目（穗教科[2013]94）
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为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴张应变与最优掺杂密度的关系,分析了不同双轴张应变和掺杂条件下阈值电流密度、电光转换效率等激光器参数的变化.结果表明：最优掺杂密度随着双轴张应变的增大而减小,过高的掺杂则导致激光器工作性能的下降;在同等掺杂条件下,光增益以及增益的峰值波长会随着双轴张应变的增大而增大;与文献数据相比,在0.8%双轴张应变和对应的最优掺杂密度（8×10^19cm^-3）下,锗激光器的阈值电流密度降
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