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采用能量为100 keV的He离子辐照多晶碳化钨样品,He离子的辐照剂量为1.0×1017 ions· cm-2,辐照温度从室温变化到600℃。通过SRIM软件模拟了离子的注入深度,利用导电式原子力显微镜（ CAFM）分析了多晶碳化钨样品在He离子辐照条件下微观结构的演化。结果表明,He离子辐照会导致多晶碳化钨样品形成He泡,从而使样品表面发生肿胀。