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用扰动γγ角关联方法研究了低指数Ni单晶衬底与外延生长In膜界面的互扩散和界面化合物的形成。与Ni/In薄膜系统的结果进行了比较.除观察到相图中已知的全部Ni/In化合物外,发现了一个新的Ni/In化合物.相出现的次序都是从富In相到富Ni相.单晶衬底情况下,相形成与In膜厚度及衬底取向有关.
Ni单晶与外延生长In膜界面化合物的形成
【摘 要】
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用扰动γγ角关联方法研究了低指数Ni单晶衬底与外延生长In膜界面的互扩散和界面化合物的形成。与Ni/In薄膜系统的结果进行了比较.除观察到相图中已知的全部Ni/In化合物外,发
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,Fakultt,100875,北京新外大街,fü,rPhysik,UnversittKonstanz,D-7750Konstanz,FRG
【出 处】
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北京师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年3期
【基金项目】
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德国玻恩研究联合体资助项目
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