悬臂式RF MEMS开关的设计与研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuyixinsiboy
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介绍了一种制作在低阻硅(3~8Ω·cm)上的悬臂式RFMEMS开关。在Cr/Au CPW共面波导上,金/SiOxNy/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂,静电受激作为开关机理。当开关处于“关断”态,其隔离度小于-35dB(20~40GHz);阈值电压为13V;开关处于“开通”态,插入损耗为4~7dB(1~10GHz),反射损耗为-15dB。另外,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系,并应用ANSYS软件对开关进行了电学、力学及耦合特性的计算机模拟。
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