【摘 要】
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本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1.5cm×1.5cm的区域,采用了大功率紫外激光器。它可以改进600V-1200V范围IGBT和二极管薄片
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本文介绍一种激活IGBT或者续流二极管背发射极的新方法。为了用一次单激光冲击激活1.5cm×1.5cm的区域,采用了大功率紫外激光器。它可以改进600V-1200V范围IGBT和二极管薄片技术的制造工艺。薄片工艺是进一步缩小芯片厚度,降低通态压降和开关损耗的重要步骤。
This article describes a new way to activate IGBT or freewheeling diode back emitters. In order to activate a single 1.5cm × 1.5cm area with a single laser shock, a high power UV laser was used. It improves the manufacturing process for IGBT and diode sheet technology in the 600V-1200V range. Thin-film process is to further reduce the chip thickness, reduce the on-state voltage drop and switching losses an important step.
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