【摘 要】
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将InAs/GaAs量子点样品薄膜置于覆盖有直径为50?nm的金(Au)纳米颗粒的硅衬底上,?可以调控量子点激子的自发辐射速率.?实验发现,?当量子点浸润层距离Au纳米颗粒表面15—35?n m时,?激子自发辐射速率受到抑制,?且距离为19?nm时抑制作用最大,?导致量子点激子的自发辐射速率减小到没有Au纳米颗粒时自发辐射速率的10?3.?基于经典的偶极辐射模型模拟计算的激子自发辐射速率与实验结果一致.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室, 北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
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将InAs/GaAs量子点样品薄膜置于覆盖有直径为50?nm的金(Au)纳米颗粒的硅衬底上,?可以调控量子点激子的自发辐射速率.?实验发现,?当量子点浸润层距离Au纳米颗粒表面15—35?n m时,?激子自发辐射速率受到抑制,?且距离为19?nm时抑制作用最大,?导致量子点激子的自发辐射速率减小到没有Au纳米颗粒时自发辐射速率的10?3.?基于经典的偶极辐射模型模拟计算的激子自发辐射速率与实验结果一致.
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