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<正> 本文对半导体器件非线性泊松方程▽~2(?)=q/c(n-p-D),提出了一种新的差分格式应用该格式以二维MOSFET管为例,我们计算了零偏条件下的电势分布,并在均匀和非均匀网格情形下与文献[I.D.Mayergoyz,I.Appl.Phys.,59(1986),195.]中的算法进行比较,结果表明本文提出的差分格式