Tin Solution Growth and Electrical Properties of the Semiconductor Compound CuSi_2P_3

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The growth of some ternary Ⅰ-Ⅳ2-Ⅴ3 compounds using solution techni-que has been described.This technique has been found particularly usefulin the preparation of CuSi_2P_3 from different compounds of this group and thecrystals obtained were of 0.2×3×5mm~3. The growth of some ternary I-IV2-V3 compounds using solution technology-que has been described. This technique has been found useful for the preparation of CuSi_2P_3 from different compounds of this group and the crystal elements obtained by 0.2 × 3 × 5 ~ 3.
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