【摘 要】
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近年来,微纳米科学技术发展迅速,在产业化方面已经取得了不少进展。然而,实现高密度、规模化微纳米结构的批量操纵是实现芯片器件极具挑战性的关键因素之一。众所周知,利用光
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近年来,微纳米科学技术发展迅速,在产业化方面已经取得了不少进展。然而,实现高密度、规模化微纳米结构的批量操纵是实现芯片器件极具挑战性的关键因素之一。众所周知,利用光镊技术可以实现单个的微纳米结构操纵,然而大面积阵列的操纵是耗时的。实现芯片内高密度、规模化一维微纳米阵列特定对准取向制造是器件集成至关重要的挑战。氧化锌（ZnO）作为一维微纳米结构家族中最出色的一员,是一种直接宽带隙（3.3 eV）半导体,其激子束缚能为60 meV。它可应用于激光发射单元,场发射晶体管,光子探测器和发电机。
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