【摘 要】
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以微米Al2O3、纳米Ca Zr O3、微米Si O2以及B2O3为主要原料,采用普通烧结工艺制备了氧化铝陶瓷集成电路基板材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、介电常数、介电损耗性能
【基金项目】
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国家863重点课题基金项目(2012AA062701)
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以微米Al2O3、纳米Ca Zr O3、微米Si O2以及B2O3为主要原料,采用普通烧结工艺制备了氧化铝陶瓷集成电路基板材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、介电常数、介电损耗性能以及显微结构。结果表明:当微米Al2O3添加量质量分数为60%,Ca Zr O3为10%、Si O2为12%、B2O3为10%、Na2O为5%以及K2O为3%,同时在1100℃进行烧结时,所制备的陶瓷集成电路基板材料性能最佳,相对密度值为98.7%,介电常数εr为7.68,介质损耗tanδ为1.6×10-3,显微结构均匀,满足集成电路基板材料的要求。
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