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利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高，不等位电压温漂小等优点，可用于电流传感器，无刷电机等磁敏传感器，具有广阔的应用前景。
MBE生长的InAs薄膜Hall器件
【摘 要】
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利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高，不等位电压温漂小等优点，可用于电流传感器，无刷电机等磁敏传感器，具有广阔的应用前景。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年10期
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