[目的]建立一套高效和低耗的甘薯脱毒苗快繁技术,以适应工厂化生产的需要。[方法]以‘甘薯一号’脱毒试管苗为材料,采用单因素和正交试验相结合的方法,设计不同的MS培养基类型、支持物、水源、光源、糖源及糖浓度等处理,分析不同处理和培养条件对试管苗切段新生叶片数、根生长数、新生茎尖数和株高增加值的影响。[结果]单因素结果表明:1/2MS、无支持物、自来水、日光灯和60 g·L-1绵白糖分别为各自的最佳培养条件,它们新生叶片数分别为4.83、4.67、5.00和5.33;根生长数为2.17、1.67、1.67和1.50;茎尖生长数为6.67、5.33、5.67和5.17;株高增加值为2.17、3.08、2.73和2.50 cm。正交分析表明:各因素的影响从大到小依次为光源、支持物、培养基类型、水源、绵白糖浓度、糖源。[结论]最佳培养条件组合为1/2MS+无支持物(液体浅层培养)+自来水+LED灯+30 g·L-1绵白糖。在此条件下,脱毒苗表现为繁殖周期短,生长和形态最优,且生产成本降低了81.04%以上。