【摘 要】
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一种新型的激光器结构“T型激光器”已与金属半导体场效应晶体管(MESFET)单片集成在一半绝缘GaAs衬底上。籍助于一种具有兼容性的结构实现了集成,在这结构中,激光器光的有源
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一种新型的激光器结构“T型激光器”已与金属半导体场效应晶体管(MESFET)单片集成在一半绝缘GaAs衬底上。籍助于一种具有兼容性的结构实现了集成,在这结构中,激光器光的有源层也作为MESFET电的有源层。证明通过晶体管可对激光器直接调制。
A new type of laser structure “T-laser” has been monolithically integrated with a metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET) on one half of an insulating GaAs substrate. The integration is achieved with a compatible structure in which the active layer of laser light also functions as the active layer of the MESFET. Proved through the transistor laser can be directly modulated.
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