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采用新颖的NO和O2＋CHCCl3（TCE）氧化技术制备金属-绝缘体-SiC（MISiC）肖特基势垒二极管（sBD）气体传感器的栅绝缘层，研究了传感器的响应特性。结果表明，传感器可快速的检测低浓度的氢气，NO氮化氧化改善了绝缘层的界面，TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度，并同时提取重金属以提高传感器的性能，使其可在高温（如300℃）等恶劣环境下长期可靠的工作，研究还发现：适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。