【摘 要】
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本文介绍用射频溅射刻蚀的方法在LiNbO_3晶片上刻蚀声表面波器件的反射沟槽,并获得性能较好的反射栅色散延迟线(不加权)。本文重点介绍射频溅射刻蚀LiNbO_3晶片要解决的几个
【机 构】
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四川压电与声光技术研究所,四川压电与声光技术研究所,四川压电与声光技术研究所
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本文介绍用射频溅射刻蚀的方法在LiNbO_3晶片上刻蚀声表面波器件的反射沟槽,并获得性能较好的反射栅色散延迟线(不加权)。本文重点介绍射频溅射刻蚀LiNbO_3晶片要解决的几个工艺问题,即脱氧、再淀积,掩模材料的选择。还讨论了刻蚀的沟槽陡度,均匀性和重复性等问题。
In this paper, we introduce the reflection trench of SAW device on the LiNbO_3 wafer by radio frequency sputter etching, and obtain the better reflection grating dispersive delay line (unweighted). This article focuses on the RF sputter etching of LiNbO_3 chip to solve several process problems, namely, deoxidation, re-deposition, the choice of masking material. Also discussed etching the trench steepness, uniformity and repeatability and other issues.
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