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Drain-induced barrier lowering effect for short channel dual material gate 4H silicon carbide metal-

来源 :Chinese Physics B | 被引量 : 0次 | 上传用户：shaoyuqi521

【作 者】

：

张现军 杨银堂 段宝兴 柴常春 宋坤 陈斌 

【出 处】

：

Chinese Physics B

【发表日期】

：

2020年1期

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