【摘 要】
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采用碳化硼添加量不同的铁基触媒,在高温高压下合成含硼金刚石单晶。用数字电桥和自制的电阻测量夹具测量了含硼金刚石单晶的电阻;用阴极射线发光光谱测量了金刚石单晶的光子
【机 构】
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山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室,山东省超硬材料工程技术研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.50772060）, 山东省自然科学基金（Y2007F12）
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采用碳化硼添加量不同的铁基触媒,在高温高压下合成含硼金刚石单晶。用数字电桥和自制的电阻测量夹具测量了含硼金刚石单晶的电阻;用阴极射线发光光谱测量了金刚石单晶的光子频数;用XRD检测了不同硼含量掺杂的金刚石单晶的晶体结构。结果表明：随着触媒中碳化硼添加量的增加,含硼金刚石单晶的电阻率降低,可呈现半导体电阻特性。其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的（111）晶面生长,使受主能级提高,晶体的带隙变窄,载流子浓度提高。
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