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通过分析软质层的形成、作用以及纳米磨料的自身变形对材料去除的影响，改进了CMP过程的接触力学模型；分析了纳米磨料自身变形量对磨料嵌入硅晶片基体材料的深度的影响，以及纳米磨料硬度对抛光表面粗糙度的影响。结果表明：软质层的存在增加了单个纳米磨料所去除材料的体积，且对基体材料有保护作用，减小了纳米磨料嵌入基体材料的深度；纳米磨料的自身变形抵消了纳米磨料嵌入基体材料的切削深度，从而也决定了抛光表面的粗糙度；纳米磨料的自身变形量与纳米磨料的硬度有关，硬度低的纳米磨料自身变形量大，因而切削深度小，抛光后表面的粗糙度值