Temperature dependence of excitonic transition in ZnSe/ZnCdSe quantum wells

来源 :光电子快报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaolongyang

【摘要】

：

A theoretical calculation for the temperature dependence of the excitonic transition in ZnSe/ZnCdSe quantum wells is performed. The exciton binding energy is ca

【作者】

：

GUO Zi-zheng LIANG Xi-xia BAN

【机构】

：

DepartmentofPhysics,DepartmentofPhysics

【出处】

：

光电子快报：英文版

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

半导体技术温度控制激光器件激子转换 CLC numberTN365

【基金项目】

：

中国科学院资助项目

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A theoretical calculation for the temperature dependence of the excitonic transition in ZnSe/ZnCdSe quantum wells is performed. The exciton binding energy is calculated with a variational technique by considering the temperature-dependence parameters. Our

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