【摘 要】
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采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅（111）上制备了Ce3＋、Pr3＋共掺杂的硅酸镥（Lu2SiO5）薄膜, 采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和荧光光谱（PL）对（Ce,Pr）：Lu2SiO5薄膜的物相、表面形貌及
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院,上海大学生命科学学院
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采用溶胶–凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅（111）上制备了Ce3＋、Pr3＋共掺杂的硅酸镥（Lu2SiO5）薄膜, 采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和荧光光谱（PL）对（Ce,Pr）：Lu2SiO5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征。结果表明： 薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu2SiO5纯相; 在1100℃下形成了B-Lu2SiO5纯相。经1100℃煅烧后, 通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹, 晶粒大小为200~300 nm, 旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm。从
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