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针对静态存储器出现的多比特翻转，提出了一种软错误失效模型．以“生日重合”理论作为多比特失效统计的基础，将常用加固方式纠错码和周期刷新作为分析条件得到累积错误和非累积错误的概率失效模型．前者为相同容量存储器的不同字长结构提供了失效概率的数值分析，并为实际测试结果提供了一个理论参考；后者量化了刷新周期的选取对于误码率改善程度．仿真结果显示90nm体硅工艺下，累积错误模型与低能量质子测试结果相符合；非累积错误模型分析的刷新周期略高于实际结果．