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采用平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展氧化铝(Al2O3)薄膜沉积工艺的研究。通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,研究了Al2O3薄膜沉积工艺中加热温度、工艺传送速度、微波功率、三甲基铝(TMA)流量等工艺参数对钝化效果的影响,得到了最佳的工艺参数:加热温度350℃、工艺传送速度240cm/min、微波功率521W、TMA流量600mg/min。在该工艺条件下进行Al2O3/SiNx叠层钝化膜的沉积,测试硅片的平均少子寿命