【摘 要】
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硅外延工艺用SiCl_4原料以H_2作载体,在磨口石英反应器中进行.当尾气用水溶液鼓泡或塔器吸收时,因排气阻力和SiO_2堵塞,使外延系统压力上升,带来H_2泄漏或磨口冲出的危险,也
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硅外延工艺用SiCl_4原料以H_2作载体,在磨口石英反应器中进行.当尾气用水溶液鼓泡或塔器吸收时,因排气阻力和SiO_2堵塞,使外延系统压力上升,带来H_2泄漏或磨口冲出的危险,也可能会影响外延工艺的稳定,因此,采用水喷雾法,对硅外延尾气进行净化.
Si_ (4) O_ (4) Si_ (4) O_ (4) Si_ (4_) O_ (4) Si_ (4) Or grinding out of danger, may also affect the stability of the epitaxial process, therefore, the use of water spray method, the silicon epitaxial tail gas purification.
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